‌Hva er forskjellene mellom silisiumnitridsubstrat og substrat?

De viktigste forskjellene mellomsilisiumnitridsubstratog substrat er deres definisjoner, bruksområder og egenskaper. ‌

1. Definisjon og bruk

‌Silisiumnitridsubstrat‌:Silisiumnitridsubstrater et keramisk materiale som hovedsakelig brukes til produksjon av krafthalvlederenheter, spesielt kraftmoduler. Den har høy varmeledningsevne, høy mekanisk styrke og god termisk tilpasning, og er egnet for bruksscenarier som krever høy pålitelighet og høy temperaturbestandighet. ‌Substrat‌: Substrat refererer vanligvis til den underliggende støttestrukturen som brukes til brikkeproduksjon. Vanlige substratmaterialer inkluderer enkeltkrystallsilisiumskiver, SOI-substrater, SiGe-substrater, osv. Valget av substrat avhenger av spesifikke applikasjonskrav, som integrerte kretser, mikroprosessorer, minne osv. ‌

2. Sammenligning av egenskaper ‌

Silisiumnitridsubstrat‌ ‌

Høy termisk ledningsevne‌: Den termiske ledningsevnen til silisiumnitrid er så høy som 80 W/m·K eller mer, noe som er egnet for varmeavledningsbehovene til enheter med høy effekt. ‌Høy mekanisk styrke‌: Den har høy bøyestyrke og høy bruddseighet, noe som sikrer høy pålitelighet. Termisk ekspansjonskoeffisient-tilpasning: Det ligner veldig på SiC-krystallsubstratet, og sikrer en stabil match mellom de to og forbedrer den generelle påliteligheten.

Substrat ‌

Ulike typer: Inkludert enkeltkrystall silisiumskiver, SOI-substrater, SiGe-substrater, etc., har hvert substratmateriale sitt spesifikke bruksområde og ytelsesfordeler.

‌Bredt bruksområde ‌: Brukes til å produsere forskjellige typer brikker og enheter, for eksempel integrerte kretser, mikroprosessorer, minne, etc. ‌.

3. Søknadsscenarier

‌Silisiumnitridsubstrat ‌: Brukes hovedsakelig for enheter med høy effekt i felt som nye energikjøretøyer og moderne transportbaner. På grunn av sin utmerkede varmeavledningsytelse, mekaniske styrke og stabilitet, er den egnet for høye krav til pålitelighet i komplekse miljøer.

‌Substrat‌: Mye brukt i forskjellig brikkeproduksjon, og den spesifikke applikasjonen avhenger av typen substrat. For eksempel er enkeltkrystall silisiumskiver mye brukt i produksjon av integrerte kretser og mikroprosessorer, SOI-substrater er egnet for integrerte kretser med høy ytelse, laveffekt, og SiGe-substrater brukes for heterojunction bipolare transistorer og blandede signalkretser, etc. ‌.